Cos'è la memoria resistiva ad accesso casuale (reram)? - definizione da techopedia

Definizione: che cosa significa memoria ad accesso casuale resistivo (ReRAM)?

La memoria ad accesso casuale resistivo (RRAM / ReRAM) è un nuovo tipo di memoria progettata per essere non volatile. È in fase di sviluppo da diverse società e alcune hanno già brevettato le proprie versioni della tecnologia. La memoria funziona modificando la resistenza di materiale dielettrico speciale chiamato memresistor (resistore di memoria) la cui resistenza varia a seconda della tensione applicata.

Techopedia spiega la memoria ad accesso casuale resistivo (ReRAM)

RRAM è il risultato di un nuovo tipo di materiale dielettrico che non viene danneggiato in modo permanente e si guasta in caso di guasto dielettrico; per un memresistor, la rottura dielettrica è temporanea e reversibile. Quando la tensione viene deliberatamente applicata a un memresistor, nel materiale vengono creati percorsi conduttivi microscopici chiamati filamenti. I filamenti sono causati da fenomeni come la migrazione dei metalli o persino difetti fisici. I filamenti possono essere rotti e invertiti applicando diverse tensioni esterne. È questa creazione e distruzione di filamenti in grandi quantità che consente la memorizzazione di dati digitali. I materiali con caratteristiche memresistor includono ossidi di titanio e nichel, alcuni elettroliti, materiali semiconduttori e persino alcuni composti organici che sono stati testati per avere queste caratteristiche.

Il vantaggio principale di RRAM rispetto ad altre tecnologie non volatili è l'elevata velocità di commutazione. A causa della magrezza dei memresistors, ha un grande potenziale per un'alta densità di archiviazione, maggiori velocità di lettura e scrittura, un minor consumo di energia e un costo inferiore rispetto alla memoria flash. La memoria flash non può continuare a ridimensionarsi a causa dei limiti dei materiali, pertanto RRAM sostituirà presto la memoria flash.