Casa Audio Cos'è l'ariete perfetto? - definizione da techopedia

Cos'è l'ariete perfetto? - definizione da techopedia

Sommario:

Anonim

Definizione - Cosa significa Perfect RAM?

La RAM perfetta è un tipo di memoria ad accesso casuale non volatile. Memorizza i dati modificando lo stato del materiale utilizzato; il vetro di calcogenuro passa da uno stato all'altro quando è sottoposto al calore prodotto dal passaggio di una corrente elettrica. A livello microscopico, i dati cambiano avanti e indietro tra due stati: amorfo e cristallino.


Perfect RAM è una delle diverse tecnologie di memoria in competizione per sostituire la memoria flash, che presenta numerosi problemi.


Questo termine è anche noto come PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM, C-RAM e Phase-Change Memory (PCM).

Techopedia spiega Perfect RAM

Allo stato amorfo (o fase disordinata), il materiale ha un'elevata resistenza elettrica. Allo stato cristallino (o fase ordinata), ha meno resistenza. Pertanto, la corrente elettrica può essere accesa e spenta, che rappresentano stati digitali alti e bassi corrispondenti ai valori 1 e 0 di un codice binario. Ricerche recenti hanno scoperto altri due stati, raddoppiando efficacemente la capacità di archiviazione.


I tempi di scrittura per una memoria flash sono di circa un millisecondo per un blocco di dati, 100.000 volte maggiore del tipico tempo di lettura di 10 nanosecondi (ns) per un byte utilizzando la memoria statica ad accesso casuale (SRAM). La RAM perfetta può offrire prestazioni molto più elevate quando la scrittura rapida è importante. La memoria flash si degrada ad ogni scoppio di tensione. Anche i dispositivi RAM perfetti si degradano, ma a un ritmo molto più lento. Questi dispositivi possono sopportare circa 100 milioni di cicli di scrittura. La perfetta durata della RAM è limitata dall'espansione termica durante la programmazione, la migrazione dei metalli e meccanismi sconosciuti.


Alcune delle sfide per la perfetta tecnologia RAM riguardano il requisito di alta densità di corrente di programmazione (controllo preciso della corrente), resistenza a lungo termine (resistenza sostenuta alla corrente elettrica) e deriva della tensione di soglia (controllo preciso della tensione elettrica) - tutto a livello microscopico. Hewlett-Packard, Samsung, STMicroelectronics e Numonyx, tra gli altri, stanno studiando queste sfide.

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