Sommario:
- Definizione - Cosa significa FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)?
- Techopedia spiega la memoria ferroelettrica ad accesso casuale (FRAM)
Definizione - Cosa significa FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)?
La memoria ferroelettrica ad accesso casuale (FRAM, F-RAM o FeRAM) è una forma di memoria non volatile simile alla DRAM in architettura. Tuttavia, utilizza uno strato ferroelettrico al posto di uno strato dielettrico al fine di raggiungere la non volatilità. Considerata come una potenziale alternativa per le tecnologie di memoria ad accesso casuale non volatile, la memoria ferroelettrica ad accesso casuale offre le stesse caratteristiche di quella della memoria flash.
Techopedia spiega la memoria ferroelettrica ad accesso casuale (FRAM)
Nonostante il nome, la memoria ferroelettrica ad accesso casuale non contiene effettivamente ferro. Usa normalmente il titanato di zirconato di piombo, sebbene a volte vengano usati anche altri materiali. Sebbene lo sviluppo della RAM ferroelettrica risale ai primi tempi della tecnologia dei semiconduttori, i primi dispositivi basati sulla RAM ferroelettrica sono stati prodotti intorno al 1999. Una cella di memoria RAM ferroelettrica è composta da una linea di bit e da un condensatore collegato a una piastra. I valori binari 1 o 0 vengono memorizzati in base all'orientamento del dipolo all'interno del condensatore. L'orientamento del dipolo può essere impostato e invertito con l'aiuto della tensione.
Rispetto a tecnologie più consolidate come flash e DRAM, la RAM ferroelettrica non è molto utilizzata. La RAM ferroelettrica è talvolta incorporata nei chip basati su CMOS per aiutare le MCU ad avere le proprie memorie ferroelettriche. Questo aiuta ad avere meno fasi per incorporare la memoria nelle MCU, con un notevole risparmio sui costi. Porta anche un altro vantaggio di avere un basso consumo energetico rispetto ad altre alternative, il che aiuta notevolmente gli MCU, dove il consumo energetico è sempre stato una barriera.
Ci sono molti benefici associati alla RAM ferroelettrica. Rispetto alla memoria flash, ha un consumo energetico inferiore e prestazioni di scrittura più veloci. Rispetto a tecnologie simili, la RAM ferroelettrica offre più cicli di cancellazione e scrittura. Vi è anche una maggiore affidabilità dei dati con la RAM ferroelettrica.
Vi sono alcuni inconvenienti associati alla RAM ferroelettrica. Ha una capacità di archiviazione inferiore rispetto ai dispositivi flash ed è anche costoso. Rispetto a DRAM e SRAM, la RAM ferroelettrica memorizza meno dati nello stesso spazio. Inoltre, a causa del distruttivo processo di lettura della RAM ferroelettrica, è necessaria un'architettura di lettura dopo lettura.
La RAM ferroelettrica viene utilizzata in molte applicazioni come strumentazione, apparecchiature mediche e microcontrollori industriali.
